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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
TW060N120CS1F | MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS Features (1) Chip design of 3rd generation (Built-in SiC schottky barrier diode) (2) Low diode forward voltage: VDSF = -1.35 V (typ.) (3) High voltage: VDSS = 1200 V (4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 60 m Ω (typ.) (5) Less susceptible to malfunction due to high threshold voltage: | TOSHIBA 东芝 |   |
更新时间：2025-11-17 16:54:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SAMTEC/申泰 |
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SAMTEC/申泰 |
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SAMTEC |
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