深圳毅创辉电子供应 IRFB38N20DPBF

发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司时间:2021-9-14 9:21:00

企业深圳市毅创辉电子科技有限公司

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地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

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制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 200 V

Id-连续漏极电流: 44 A

Rds On-漏源导通电阻: 54 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V

Qg-栅极电荷: 91 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 3.8 W

通道模式: Enhancement

封装: Tube

商标: Infineon / IR

配置: Single

下降时间: 47 ns

正向跨导 - 最小值: 17 S

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 95 ns

工厂包装数量: 50

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 29 ns

典型接通延迟时间: 16 ns

宽度: 4.4 mm

零件号别名: IRFB38N20DPBF SP001556010

单位重量: 2 g

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.054ohm, Id=44A)

IRF

International Rectifier

N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

HEXFET Power MOSFET

IRF

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HEXFET Power MOSFET

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HEXFET? Power MOSFET

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.054ohm, Id=44A)

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无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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2025-8-14 8:20:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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原装现货假一赔十