MMBT3904LT1G

时间:2019-4-10 9:19:00

MMBT3904LT1G

晶体管类型 NPN

电流 - 集电极(Ic)(最大值) 200mA

电压 - 集射极击穿(最大值) 40V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值) -

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 100 @ 10mA,1V

功率 - 最大值 300mW

频率 - 跃迁 300MHz

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236)

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

AVICTEK

Avic Technology

NPN SILICON

LRCLeshan Radio Company

乐山无线电乐山无线电股份有限公司

General Purpose Transistor (NPN Silicon)

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

TGS

Tiger Electronic Co.,Ltd

General Purpose Transistor(NPN Silicon)

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

General Purpose Transistor

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Transistors (NPN)

SSC

Silicon Standard Corp.

General Purpose Transistor

WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP

威伦威伦电子股份有限公司

SOT-23 TRANSISTOR

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳深圳市永而佳实业有限公司

SOT-23 TRANSISTOR

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳深圳市永而佳实业有限公司

2025-8-12 23:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
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