IPB107N20NA价格

参考价格:¥24.3731

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IPB107N20NA

OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to AEC Q101 • Halogen-free according to IEC61249-2-21 • Ideal for high-frequency

Infineon

英飞凌

IPB107N20NA

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:189.24 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

IPB107N20NA

20V-300V N-Channel Power MOSFET

Infineon

英飞凌

IPB107N20NA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPB107N20NA

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    OptiMOS™

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-9-25 17:44:00
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Infineon(英飞凌)
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