数据列表 IPT012N08N5;_
标准包装 2，000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 OptiMOS?
其它名称 IPT012N08N5ATMA1TR
SP001227054
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 80V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.2 毫欧 @ 150A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.8V @ 280μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 223nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 17000pF @ 40V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 375W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-HSOF-8-1
封装/外壳 8-PowerSFN
