代理AO8810进口原装现货

时间：2020-7-2 14:15:00

品牌：AOS/万代生产批号:2020+ 封装:TSSOP-8

数据列表 AO8810;_

TSSOP8 Pkg Drawing;_

标准包装 3，000

包装标准卷带

零件状态不適用於新設計

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

系列 -

其它名称 785-1096-2

规格

FET 类型 2 N 沟道（双）共漏

FET 功能逻辑电平门

漏源电压（Vdss） 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 20 毫欧 @ 7A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.1V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 14nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1295pF @ 10V

功率 - 最大值 1.5W

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

封装/外壳 8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）

供应商器件封装 8-TSSOP

型号查询	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
AO8810	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO8810	20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO8810	Dual N-Channel MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO8810_12	20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO8810L	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO8810-TP	Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
8810	Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET	HOTTECHGUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
8810	Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
8810	N-channel power MOS field effect tube	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微深圳市富满电子集团股份有限公司	FUMAN
8810	Thermally Conductive Adhesive Transfer Tapes	3M 3M Electronics	3M

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2025-10-1 9:42:00