代理AO8810进口原装现货

时间:2020-7-2 14:15:00

品牌:AOS/万代 生产批号:2020+ 封装:TSSOP-8

数据列表 AO8810;_

TSSOP8 Pkg Drawing;_

标准包装 3,000

包装 标准卷带

零件状态 不適用於新設計

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

系列 -

其它名称 785-1096-2

规格

FET 类型 2 N 沟道(双)共漏

FET 功能 逻辑电平门

漏源电压(Vdss) 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 20 毫欧 @ 7A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1295pF @ 10V

功率 - 最大值 1.5W

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)

供应商器件封装 8-TSSOP

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

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20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD

Dual N-Channel MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AOSMD

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰电子有限公司

HOTTECH

Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

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FUMANFine Made Microelectronics Group Co.,Ltd.

富满微富满微电子集团股份有限公司

FUMAN

Thermally Conductive Adhesive Transfer Tapes

3M

3M Electronics

3M

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司

TUOFENG
2025-8-2 19:19:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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