制造商: onsemi
产品种类: 分立半导体模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Carbide Modules
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: onsemi
配置: Dual
Pd-功率耗散: 118 W
产品类型: Discrete Semiconductor Modules
24
子类别: Discrete Semiconductor Modules
发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司时间:2023-12-1 11:39:00
联系人:刘春兰
微信:19129491434
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传真:0755-83267787
地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
制造商: onsemi
产品种类: 分立半导体模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Carbide Modules
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: onsemi
配置: Dual
Pd-功率耗散: 118 W
产品类型: Discrete Semiconductor Modules
24
子类别: Discrete Semiconductor Modules
型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 40 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 40 A, 1200 V SiC Diode, Two Channel Full SiC Boost, Q0 Package | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
Dual Boost Power Module | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 40 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V 40 A, 1200 V SiC Diode, Two Channel Full SiC Boost, Q0 Package | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ON/安森美 | 23+ | MODULE | 2683 | 原装正品,支持实单。 | |||
onsemi | 2025+ | Q0PACK | 55740 | ||||
NXH40B120MNQ0 | Infineon | 23+ | 标准封装 | 2000 | 全新原装正品现货直销 | ||
24+ | N/A | 48000 | 一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 | ||||
ON | 24+ | NA | 25000 | ON全系列可订货 | |||
onsemi(安森美) | 24+ | 7350 | 现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! | ||||
onsemi | 两年内 | NA | 40 | 实单价格可谈 | |||
ON | 23+ | 原厂原封 | 21 | 订货1周 原装正品 | |||
NXH40B120MNQ0 | Infineon | 23+ | Tray | 500 | 原装正品 | ||
ON/安森美 | 22+ | 24000 | 原装正品现货,实单可谈,量大价优 |