| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 20A, RDS(ON) = 25mW @VGS = 10V. RDS(ON) = 32mW @VGS = 4.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司 |   | ||
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 60V, 7.3A, RDS(ON) = 26mW @VGS = 10V. RDS(ON) = 35mW @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Surface mount Package. ■ Lead free product is acquired. | CET 华瑞 | | ||
Precision Potentiometer / Position Sensor 文件：417.4 Kbytes Page：3 Pages | BITECH 瑞谷拜特 | | ||
1.0A Dual USB High-Side Power Switch 文件：222.44 Kbytes Page：9 Pages | AIC | | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.53941 Mbytes Page：5 Pages | DOINGTER 杜因特 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-5-30
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