位置：首页 > IC中文资料第4058页 > NTY100N10G
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTY100N10G | Power MOSFET 123 A, 100 V N?묬hannel Enhancement?묺ode TO264 Package 文件：162.94 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 92A, RDS(ON) = 8.2mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 10.5mW @VGS = 4.5V. | CET-MOS 华瑞 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：583.28 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package 文件：1.06059 Mbytes Page：6 Pages | FOSHAN 蓝箭电子 | | ||
N-CHANNEL MOSFET in a TO-263 Plastic Package 文件：893.02 Kbytes Page：6 Pages | FOSHAN 蓝箭电子 | | ||
OptiMOS?? Power-Transistor 文件：420.84 Kbytes Page：10 Pages | Infineon 英飞凌 | |
NTY100N10G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTY100N10G
- 功能描述
MOSFET 100V 123A N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NQVATEK |
24+ |
QFP |
66800 |
原厂授权一级代理,专注汽车、医疗、工业、新能源！ |
|||
ON |
23+ |
SOT-563 |
18000 |
正规渠道,只有原装! |
|||
ON Semiconductor |
22+ |
TO2643 TO264AA |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
ON |
24+ |
SMD |
12000 |
原厂/代理渠道价格优势 |
|||
ONSEMI |
1923+ |
TO-3P |
12000 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
|||
ON |
25+ |
TO-264 |
37650 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
TO-3PBL |
40000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
ON |
2021+ |
SOT-563 |
18000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ON |
2023+ |
SOT-563 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
ON/安森美 |
21+ |
SOT-563 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
NTY100N10G规格书下载地址
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2020-10-16
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