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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTP5862NG | N-Channel Power MOSFET 60 V, 98 A, 5.7 m 文件：125.95 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTP5862NG | N-Channel Power MOSFET 文件：86.99 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NTP5862NG | N-Channel Power MOSFET 60 V, 98 A, 5.7 m\u0002 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode Features • DC / DC converter applications. • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package facilitating high-density mounting. • [MOSFET] • 2.5V drive. • [SBD] • Sho | SANYO 三洋 | | ||
SEMICONDUCTORS 文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
SEMICONDUCTORS 文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
ANALOG SWITCH ICS FOR RGB INTERFACE 文件：146.09 Kbytes Page：3 Pages | Panasonic 松下 | | ||
ANALOG SWITCH ICS FOR RGB INTERFACE 文件：146.09 Kbytes Page：3 Pages | Panasonic 松下 | |
NTP5862NG产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTP5862NG
- 功能描述
MOSFET 60V T2 TO220
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
101 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
ON原装 |
25+23+ |
TO-220 |
22616 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
ON |
23+ |
TO220 |
20 |
正规渠道,只有原装! |
|||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220 |
7828 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
ON |
24+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
ON |
1716+ |
? |
7500 |
只做原装进口,假一罚十 |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
ON Semiconductor |
23+ |
TO2203 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
ON/安森美 |
2447 |
TO-220 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
ON |
24+/25+ |
545 |
原装正品现货库存价优 |
NTP5862NG规格书下载地址
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