位置：首页 > IC中文资料第3598页 > NTP5862NG
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTP5862NG | N-Channel Power MOSFET 60 V, 98 A, 5.7 m 文件：125.95 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTP5862NG | N-Channel Power MOSFET 文件：86.99 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode Features • DC / DC converter applications. • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package facilitating high-density mounting. • [MOSFET] • 2.5V drive. • [SBD] • Sho | SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社 | | ||
SEMICONDUCTORS 文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商 | | ||
SEMICONDUCTORS 文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商 | | ||
ANALOG SWITCH ICS FOR RGB INTERFACE 文件：146.09 Kbytes Page：3 Pages | Panasonic 松下 | | ||
ANALOG SWITCH ICS FOR RGB INTERFACE 文件：146.09 Kbytes Page：3 Pages | Panasonic 松下 | |
NTP5862NG产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTP5862NG
- 功能描述
MOSFET 60V T2 TO220
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON原装 |
25+23+ |
TO-220 |
22616 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
ON Semiconductor |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
ON |
23+ |
TO-220-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
ON |
23+ |
TO220 |
20 |
正规渠道,只有原装! |
|||
ON |
24+/25+ |
545 |
原装正品现货库存价优 |
||||
ON/安森美 |
22+ |
TO-220 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
ON |
23+ |
TO220 |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
ON |
1016+ |
TO220 |
20 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ON |
23+ |
TO220 |
2520 |
原厂原装正品 |
|||
ON |
2023+ |
TO220 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
NTP5862NG规格书下载地址
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