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NTMFS4C03N | Power MOSFET Dual N?묬hannel 文件：125.45 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTMFS4C03N | 单 N 沟道，功率 MOSFET，30V，136A，2.1mΩ | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Power MOSFET Dual N?묬hannel 文件：125.45 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET Dual N?묬hannel 文件：125.45 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
COMPLEMENTARY DUAL TMOS POWER FET 30 VOLTS Medium Power Surface Mount Products Complementary TMOS Field Effect Transistors MiniMOS devices are an advanced series of power MOSFETs which utilize Motorola’s High Cell Density HDTMOS process. These miniature surface mount MOSFETs feature ultra low RDS(on) and true logic level performance. The | MOTOROLA 摩托罗拉 | | ||
Complementary SO??, Dual Power MOSFET 文件：368.87 Kbytes Page：16 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Single N?묬hannel Power MOSFET 文件：80.14 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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