型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NTJD2152PT1G

Trench Small Signal MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NTJD2152PT1G

Trench Small Signal MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

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安森美半导体

NTJD2152PT1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTJD2152PT1G

  • 功能描述

    MOSFET 8V Dual P-Channel ESD Protection

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-3 16:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
23+
SOT363
2865
正规渠道,只有原装!
ON/安森美
2019+
SC70-6
36000
原盒原包装 可BOM配套
O
24+
SOT23-6
26970
郑重承诺只做原装进口现货
ON
17+
SOT-363
6200
100%原装正品现货
ON
24+
SOT323-6
660
ON
24+
SC70-6
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
0N
24+
SOT-363
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
ON
19+
SC70-6
20000
2200
ON/安森美
2025+
SOT-363
5000
原装进口,免费送样品!
ON
2023+
SOT323-6
50000
原装现货

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