型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NTJD2152PT1G

Trench Small Signal MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NTJD2152PT1G

Trench Small Signal MOSFET

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安森美半导体

NTJD2152PT1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTJD2152PT1G

  • 功能描述

    MOSFET 8V Dual P-Channel ESD Protection

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-12 18:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
24+
SOT363-6
5825
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!
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20+
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56200
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SOT-363
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原装正品 支持实单
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24+
SC88/SC706/S
3000
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
ON(安森美)
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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SOT-363
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NTJD2152PT1G
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振宏微原装正品,假一罚百
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2023+
SOT323-6
50000
原装现货

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