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位置：NTJD2152PT1G > NTJD2152PT1G详情

NTJD2152PT1G中文资料

NTJD2152PT1G
厂家型号

NTJD2152PT1G
文件大小

133.79Kbytes
页面数量

6页
功能描述

Trench Small Signal MOSFET

MOSFET 8V Dual P-Channel ESD Protection
数据手册

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生产厂商

ONSEMI

相近规格书

NTJD2152PT1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTJD2152PT1G

  • 功能描述

    MOSFET 8V Dual P-Channel ESD Protection

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

NTJD2152PT1G供应商...

更新时间：2025-10-16 13:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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NTJD2152PT1G
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