型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NTHD4N02FT1G

Power MOSFET and Schottky Diode

文件:64.97 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET and Schottky Diode

文件:64.97 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTHD4N02FT1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTHD4N02FT1G

  • 功能描述

    MOSFET 20V 3.9A N-Channel w/3.7A Schottky

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-3 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
NA/
2136
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ONS
24+
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
ONSEMI
24+
18
990000
明嘉莱只做原装正品现货
ON/安森美
21+
1206-8
30000
优势供应 实单必成 可13点增值税
ONS
23+
NTHD4N02FT1G
13528
振宏微原装正品,假一罚百
Sipusemi
25+23+
QFN-8
34577
绝对原装正品全新进口深圳现货
ON
22+
MSOP8
3000
原装正品,支持实单
ON/安森美
21+
NA
12820
只做原装,质量保证
ON/安森美
2019+
1206-8
36000
原盒原包装 可BOM配套
ON/安森美
23+
1206-8
24190
原装正品代理渠道价格优势

NTHD4N02FT1G数据表相关新闻