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NTHD3133PFT3G

Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, FETKY, P-Channel, -4.4 A, with 3.7 A Schottky Barrier Diode, ChipFET?

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ONSEMI

安森美半导体

NTHD3133PFT3G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTHD3133PFT3G

  • 功能描述

    MOSFET -20V -4.4A P-CHANNEL W/3.7A SCHOTTKY

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-23 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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NA/
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