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NTH4L095N065SC1

MOSFET - SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 650 V, 70 m, 31 A

Features • Typ. RDS(on) = 70 m @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 95 m @ VGS = 15 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 50 nC) • Low Output Capacitance (Coss = 89 pF) • 100% Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Pb−Free and is RoHS Compliant Typical Applications • SMPS (Switching M

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-23 16:31:00
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THAILAND
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SOP-8
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