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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTH4L080N120SC1_V02 | Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 80mohm, 1200V, M1, TO-247-4L Description Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits incl | ONSEMI 安森美半导体 |   |
更新时间：2025-8-19 12:05:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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TO-247-4 |
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公司存货 |
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