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NTH4L080N120SC1_V01

SiliconCarbide(SiC)MOSFET–80mohm,1200V,M1,TO-247-4L

Description SiliconCarbide(SiC)MOSFETusesacompletelynewtechnology thatprovidesuperiorswitchingperformanceandhigherreliability comparedtoSilicon.Inaddition,thelowONresistanceandcompact chipsizeensurelowcapacitanceandgatecharge.Consequently, systembenefitsincl

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2024-6-22 23:00:00
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