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NTH4L060N065SC1

Silicon Carbide SiC MOSFET - 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

Features • Typ. RDS(on) = 44 m @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 60 m @ VGS = 15 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 74 nC) • Low Capacitance (Coss = 133 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level int

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-19 8:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI
22+
SMD
1230
ON
2023+
TO247
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
ON(安森美)
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NA/
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公司只做原装正品,假一赔十
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原厂正品现货SiC MOSFET全系列
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TO-247-4
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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23+
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原装原标原盒 给价就出 全网最低

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