位置：首页 > IC中文资料 > NTH4L060N065SC1
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTH4L060N065SC1 | Silicon Carbide SiC MOSFET - 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L Features • Typ. RDS(on) = 44 m @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 60 m @ VGS = 15 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 74 nC) • Low Capacitance (Coss = 133 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level int | ONSEMI 安森美半导体 |   |
更新时间：2025-8-19 14:36:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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NTH4L060N065SC1 |
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