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NTH4L032N065M3S_V01

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32mohm, 650 V, M3S, TO247-4L

Features • Typical RDS(ON) = 32 m @ VGS = 18 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 55 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 114 pF) • 100% Avalanche Tested • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-19 12:13:00
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