位置：首页 > IC中文资料 > NTH4L015N065SC1_V01
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTH4L015N065SC1_V01 | SiliconCarbide(SiC)MOSFET–12mohm,650V,M2,TO-247-4L Features •Typ.RDS(on)=12m@VGS=18V Typ.RDS(on)=15m@VGS=15V •UltraLowGateCharge(QG(tot)=283nC) •HighSpeedSwitchingwithLowCapacitance(Coss=430pF) •100AvalancheTested •TJ=175°C •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Fr | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
更新时间：2024-9-24 10:06:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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