型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NTH4L015N065SC1_V01

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

Features • Typ. RDS(on) = 12 m @ VGS = 18 V Typ. RDS(on) = 15 m @ VGS = 15 V • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 283 nC) • High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 430 pF) • 100 Avalanche Tested • TJ = 175°C • This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Fr

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-23 10:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
24+
原封装
52000
只做原装进口现货
ONSEMI/安森美
24+
原封装
29823
郑重承诺只做原装进口现货
24+
N/A
60000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
ON
24+
NA
3000
进口原装 假一罚十 现货
ON/安森美
22+
24000
原装正品现货,实单可谈,量大价优
onsemi
23+
TO-247-4L
1356
原厂正品现货SiC MOSFET全系列
ON SEMICONDUCTOR
24+
con
35960
查现货到京北通宇商城
ON/安森美
23+
TO247
26800
专业帮助客户找货 配单,诚信可靠!
ON-SEMI
22+
N/A
450
只做原装正品
ONSEMI
2025+
55740

NTH4L015N065SC1_V01芯片相关品牌

NTH4L015N065SC1_V01数据表相关新闻