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NTH4L013N120M3S

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 13 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L

Features  Typ. RDS(on) = 13 m @ VGS = 18 V  Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 254 nC)  High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 262 pF)  100 Avalanche Tested  This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI (on second level interconnection) Typical

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-18 10:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
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TO-247-4
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