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NTF3055-100T1G价格
参考价格：￥1.0634
型号：NTF3055-100T1G 品牌：ONSemi 备注：这里有NTF3055-100T1G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NTF3055-100T1G批发/采购报价，NTF3055-100T1G行情走势销售排行榜，NTF3055-100T1G报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTF3055-100T1G | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GENERAL FEATURES 60V, 4A, Rps(on) = 85mQ @Vgs = 10V. Rpsion) = 100mQ @Vgs = 4.5V. High dense cell design for extremely low Rps(on)- Rugged and reliable. Lead free product is acquired. SOT-223 package. | TECHPUBLIC 台舟电子 |   | |
NTF3055-100T1G | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.01057 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
NTF3055-100T1G | Power MOSFET 3.0 Amps, 60 Volts 文件：113.78 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NTF3055-100T1G | Power MOSFET 文件：80.42 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Power MOSFET 3.0 Amps 60 Volts N?묬hannel 文件：70.73 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NTF3055-100T1G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTF3055-100T1G
- 功能描述
MOSFET 60V 3A N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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SOT-223 |
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