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NTD85N02R	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 85A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5.2mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.	ISC 无锡固电	ISC
NTD85N02R-1	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 85A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5.2mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.	ISC 无锡固电	ISC
NTD85N02R	功率 MOSFET，24V，85A，5.2mΩ，单 N 沟道，DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD85N02R	Power MOSFET 85 Amps, 24 Volts N-Channel DPAK 文件：73.48 Kbytes Page：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD85N02R-001	Power MOSFET 85 Amps, 24 Volts N-Channel DPAK 文件：73.48 Kbytes Page：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD85N02R-1G	Power MOSFET 85 Amps, 24 Volts N-Channel DPAK 文件：73.48 Kbytes Page：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD85N02R-1G	Power MOSFET 85 Amps, 24 Volts N-Channel DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD85N02R-1G	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：960.24 Kbytes Page：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTD85N02RG	Power MOSFET 85 Amps, 24 Volts N-Channel DPAK 文件：73.48 Kbytes Page：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD85N02RT4	Power MOSFET 85 Amps, 24 Volts N-Channel DPAK 文件：73.48 Kbytes Page：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD85N02RT4G	Power MOSFET 85 Amps, 24 Volts N-Channel DPAK 文件：73.48 Kbytes Page：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD85N02RT4G	N-Channel 20-V (D-S)175 C MOSFET 文件：917.84 Kbytes Page：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
85N02	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Gen III Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • DC/DC Conversion - System Power	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
HM85N02	Hard switched and high frequency circuits 文件：841.63 Kbytes Page：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM85N02K	Fully characterized avalanche voltage and current 文件：705.47 Kbytes Page：6 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI

NTD85N02产品属性

类型
描述
型号
NTD85N02
功能描述
MOSFET 24V 85A N-Channel
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

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更新时间：2025-12-26 23:01:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	NTD85N02R-1G	ON/安森美	24+	NA/	275	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市威雅利发展有限公司	NTD85N02R-1G	ON	2006	TO-252-3	3150	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市赛特兴科技有限公司	NTD85N02R-1G	ON	23+	TO-252-3	3150	正规渠道,只有原装!	询价
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	NTD85N02R-1G	ON	25+	TO-252-3	2659	原装正品!公司现货!欢迎来电洽谈!	询价
深圳市赛美科科技有限公司	NTD85N02R-1G	ON/安森美		TO-251	125000	一级代理原装正品,价格优势,长期供应!	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	NTD85N02R-1G	ON/安森美	25+	DPAK	860000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	NTD85N02R-1G	ON	23+	TO-252-3	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市一线半导体有限公司	NTD85N02R-1G	ON	24+	DPAK3(SINGLEGAUGE	8866		询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	NTD85N02R-1G	ON	25+	TO-251	300	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市宇创芯科技有限公司	NTD85N02R-1G	ON/安森美	24+	TO-252-3	9600	原装现货,优势供应,支持实单!	询价

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