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NTD60价格
参考价格：￥1.9500
型号：NTD60N02RT4 品牌：ON 备注：这里有NTD60多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NTD60批发/采购报价，NTD60行情走势销售排行榜，NTD60报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTD60 | HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS 文件：35 Kbytes Page：2 Pages | EDI |   | |
丝印代码：NTD600N80S3Z；MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III 800 V, 600 m, 8 A 文件：333.78 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
功率 MOSFET，25V，62A，10.5mΩ，单 N 沟道，DPAK 功率 MOSFET，62 A，25 V，N 沟道，DPAK • Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss\n• Low Ciss to Minimize Driver Loss\n• Low Gate Charge\n• Optimized for High Side Switching Requirements in High Efficiency DC-DC Converters\n• Pb-Free Packages are Available; | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.45Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.45Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 28V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 7.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 28V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 7.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
Power MOSFET 62 A, 24 V, N-Channel, DPAK 文件：81.55 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 62 A, 25 V, N?묬hannel, DPAK 文件：85.11 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 62 A, 25 V, N?묬hannel, DPAK 文件：85.11 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 62 A, 25 V, N?묬hannel, DPAK 文件：85.11 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 62 A, 25 V, N?묬hannel, DPAK 文件：85.11 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 62 A, 25 V, N?묬hannel, DPAK 文件：85.11 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01776 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Power MOSFET 62 A, 24 V, N-Channel, DPAK 文件：81.55 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 62 A, 24 V, N-Channel, DPAK 文件：81.55 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01776 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Power MOSFET 62 A, 24 V, N-Channel, DPAK 文件：81.55 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：960.61 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：960.55 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Power MOSFET 62 A, 24 V, N-Channel, DPAK 文件：81.55 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 62 A, 25 V, N?묬hannel, DPAK 文件：85.11 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：960.46 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01774 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Power MOSFET 62 A, 25 V, N?묬hannel, DPAK 文件：85.11 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 62 A, 24 V, N-Channel, DPAK 文件：81.55 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 62 A, 24 V, N-Channel, DPAK 文件：81.55 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 62 A, 25 V, N?묬hannel, DPAK 文件：85.11 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 62 A, 25 V, N?묬hannel, DPAK 文件：85.11 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 62 A, 24 V, N-Channel, DPAK 文件：81.55 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01775 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Power MOSFET 60 Amps, 28 Volts 文件：89.83 Kbytes Page：10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
MOSFET N-CH 28V 60A IPAK | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 60 Amps, 28 Volts 文件：89.83 Kbytes Page：10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01773 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01771 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
MOSFET N-CH 28V 60A DPAK | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 60 Amps, 28 Volts 文件：89.83 Kbytes Page：10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NTD60产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTD60
- 制造商
EDI
- 制造商全称
Electronic devices inc.
- 功能描述
HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
1431+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
2510000 |
TO-252 |
|||
ON |
24+ |
TO252 |
23000 |
全新原装现货,量大特价,原厂正规渠道! |
|||
ON |
2016+ |
TO251 |
3500 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-252 |
37763 |
ONSEMI/安森美全新特价NTD60N03T4G即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
ON/安森美 |
17+ |
DPAK3(SINGLEGAUGE) |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
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ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
9648 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
ON |
21+ |
TO-252 |
15000 |
全新原装鄙视假货 |
|||
159 |
252 |
ONSEMI/安森美 |
9 |
92 |
|||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO252 |
12500 |
优质供应商,支持样品配送 |
|||
ON/安森美 |
2026 |
3200 |
NTD60规格书下载地址
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