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NTD5865NLT4G价格
参考价格：￥1.3415
型号：NTD5865NLT4G 品牌：ONSemi 备注：这里有NTD5865NLT4G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NTD5865NLT4G批发/采购报价，NTD5865NLT4G行情走势销售排行榜，NTD5865NLT4G报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTD5865NLT4G | 60V N -Channel MOSFET Features Low Gate Charge Fast Switching High Current Capability • VDS(V) = 60V ID =46A (VGS = 10V) RDS(ON) | UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司 |   | |
NTD5865NLT4G | N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON) | Bychip 百域芯 | | |
NTD5865NLT4G | N-Channel Power MOSFET 60 V, 40 A, 16 m廓 文件：275.43 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NTD5865NLT4G | N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：988.17 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
NTD5865NLT4G | N-Channel Power MOSFET 文件：108.19 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NTD5865NLT4G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTD5865NLT4G
- 功能描述
MOSFET Single N-CH 60V 40A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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原装正品现货库存价优 |
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