型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NTD4856N-1

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 89A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

Power MOSFET 25 V, 89 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 25 V, 89 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK

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ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NTD4856N-1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTD4856N-1

  • 功能描述

    MOSFET NFET 25V 89A 0.0047R DPAK

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-23 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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