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NTD4809NH-35G

Power MOSFET 30 V, 58 A, Single N?묬hannel, DPAK/IPAK

Power MOSFET 30 V, 58 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low Capacitance to Minimize Driver Losses • Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses • These are Pb−Free Devices Applications • CPU Power Delivery •

ONSEMI

安森美半导体

NTD4809NH-35G

Power MOSFET 30 V, 58 A, Single N?묬hannel, DPAK/IPAK

文件:81.78 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD4809NH-35G

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:959.97 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTD4809NH-35G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTD4809NH-35G

  • 功能描述

    MOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-18 11:37:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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NA/
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原厂直销,现货供应,账期支持!
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