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NTD40N03RT4G价格
参考价格：￥0.9750
型号：NTD40N03RT4G 品牌：ON 备注：这里有NTD40N03RT4G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NTD40N03RT4G批发/采购报价，NTD40N03RT4G行情走势销售排行榜，NTD40N03RT4G报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTD40N03RT4G | Power MOSFET 45 A, 25 V, N−Channel DPAK Features • Planar HD3e Process for Fast Switching Performance • Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss • Low Ciss to Minimize Driver Loss • Low Gate Charge • Optimized for High Side Switching Requirements in High−Efficiency DC−DC Converters • These are Pb−Free Devices | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTD40N03RT4G | Power MOSFET 45 Amps, 25 Volts 文件：65.76 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NTD40N03RT4G | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01575 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01523 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Power MOSFET 45 Amps, 25 Volts 文件：65.76 Kbytes Page：8 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NTD40N03RT4G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTD40N03RT4G
- 功能描述
MOSFET 25V 45A N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
24+ |
TO-252 |
39197 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
ON |
2023+ |
TO-252 |
50000 |
原装现货 |
|||
ON |
24+ |
TO-252 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
|||
原装 |
1923+ |
TO-252 |
8900 |
公司原装现货特价长期供货欢迎来电咨询 |
|||
ONSEMI/安森美 |
05+ |
TO252 |
93 |
原装现货 |
|||
ON/安森美 |
22+ |
TO-252 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
ON/安森美 |
2023+ |
TO-252 |
6893 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
|||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
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ON |
21+ |
TO-252 |
15000 |
全新原装鄙视假货 |
|||
ON |
24+ |
TO-252 |
8000 |
NTD40N03RT4G规格书下载地址
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