位置：首页 > IC中文资料第2205页 > NTD3808N-1
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTD3808N-1 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 76A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 16V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5.8mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | |
Power MOSFET 16 V, 76 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK 文件：99.45 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
UCCx808-x Low Power Current Mode Push-Pull PWM 1 Features 1• Dual Output Drive Stages in Push-Pull Configuration • 130-μA Typical Starting Current • 1-mA Typical Run Current • Operation to 1-MHz • Internal Soft-Start • On-Chip Error Amplifier With 2-MHz Gain Bandwidth Product • On-Chip VDD Clamping • Output Drive Stages Capable Of 50 | TI2 德州仪器 | | ||
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Low Power Current Mode Push-Pull PWM 文件：957.25 Kbytes Page：22 Pages | TI1 德州仪器 | |
NTD3808N-1产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTD3808N-1
- 功能描述
MOSFET N-CH 16V 12A IPAK
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VB |
21+ |
TO252 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
ON |
08+ |
TO-252 |
50 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
ON/安森美 |
22+ |
IPAK |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
ON |
23+ |
TO-252 |
50 |
正规渠道,只有原装! |
|||
ON/安森美 |
23+ |
IPAK |
38900 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
ON |
23+ |
TO-251 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
SOT252 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
ON |
25+ |
IPAK |
37650 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
ON/安森美 |
22+ |
IPAK |
6000 |
十年配单,只做原装 |
NTD3808N-1规格书下载地址
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