位置：首页 > IC中文资料第438页 > NTD30N02G
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTD30N02G | Power MOSFET 30 Amps, 24 Volts 文件：134.95 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTD30N02G | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01523 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
NTD30N02G | Power MOSFET 30 Amps, 24 Volts | ONSEMI 安森美半导体 | | |
N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 20V RDSON (MAX.) 30mΩ ID 10A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free | EXCELLIANCE 杰力科技 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01517 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.09254 Mbytes Page：5 Pages | DOINGTER 杜因特 | | ||
Halogen-free According to IEC 61249-2-21 文件：308.72 Kbytes Page：9 Pages | DINTEK 尚鼎芯 | | ||
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET Halogen-free 文件：1.72657 Mbytes Page：9 Pages | DINTEK 尚鼎芯 | |
NTD30N02G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTD30N02G
- 功能描述
MOSFET NFET 24V 0.014R
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
8000 |
正规渠道,只有原装! |
|||
ON(安森美) |
26+ |
NA |
60000 |
只有原装 可配单 |
|||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品现货支持实单 |
|||
ONS |
24+ |
TO-252 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
|||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
VB |
21+ |
DPAK |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
ONS |
08+ |
DPAK |
20000 |
普通 |
|||
ON |
24+ |
DPAK4LEADSingleG |
8866 |
NTD30N02G规格书下载地址
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