位置：首页 > IC中文资料第438页 > NTD30N02G
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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NTD30N02G | Power MOSFET 30 Amps, 24 Volts 文件：134.95 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTD30N02G | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01523 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
NTD30N02G | Power MOSFET 30 Amps, 24 Volts | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Power MOSFET 30 Amps, 24 Volts 文件：134.95 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET 30 Amps, 24 Volts 文件：53.42 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● TO-252 and TO-251 Package. | SAMHOP 三合微科 | | ||
N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● TO-252 and TO-251 Package. | SAMHOP 三合微科 | |
NTD30N02G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTD30N02G
- 功能描述
MOSFET NFET 24V 0.014R
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
DPAK4LEADSingleG |
8866 |
||||
ON(安森美) |
2511 |
标准封装 |
8000 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
ON/安森美 |
2447 |
DPAK |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
ON Semiconductor |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
ON(安森美) |
26+ |
NA |
60000 |
只有原装 可配单 |
|||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
8000 |
正规渠道,只有原装! |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
DPAK-3 |
986966 |
国产 |
|||
onsemi |
25+ |
DPAK |
11580 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
NTD30N02G规格书下载地址
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