位置：首页 > IC中文资料第3757页 > NTB75N06LG
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET • Material categorization: | VBSEMI 微碧半导体 |   | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Lead-Free,RoHS Compliant Description: The ADM75N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with | ADV 爱德微 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 60V, 87A, RDS(ON) = 12mΩ @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package. | CET 华瑞 | | ||
Fast Switching Speed 文件：65.68 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.27408 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
NTB75N06LG产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTB75N06LG
- 功能描述
MOSFET NFET 60V .012R
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-247 |
92079 |
||||
IDT |
BGAQFP |
6688 |
15 |
现货库存 |
|||
RUHIPS |
24+ |
NA/ |
447 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
原装 |
25+ |
TO-220 |
20300 |
原装特价75N06G即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
VBsemi |
21+ |
TO220 |
10065 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ST/意法 |
2517+ |
TO-251 |
8850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
IDT |
25+ |
BGA |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
IDT |
23+ |
BGA |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
|||
IDT |
24+ |
39 |
|||||
ON/进口原 |
17+ |
TO-220 |
6200 |
NTB75N06LG芯片相关品牌
NTB75N06LG规格书下载地址
NTB75N06LG参数引脚图相关
- PCBA
- pc817
- pc133
- pc100
- PC/104
- p800
- p600
- otl功率放大器
- opa642
- opa2604
- op37
- op07中文资料
- op07
- OLED显示屏
- oled发光材料
- OLED材料
- ogs
- OEM
- nvidia
- ntc热敏电阻
- NTC20D8
- NTC20D5
- NTC1D20
- NTC1D15
- NTC1D13
- NTC16D9
- NTC16D8
- NTC16D7
- NTC16D5
- NTC120
- NTC111
- NTC110
- NTC10D9
- NTC10D8
- NTC10D7
- NTC10D5
- NTC10
- NTC0805
- NTC0603
- NTBA104GU16
- NTBA104GU12,115
- NTBA104GU12
- NTBA104BQ
- NTBA104
- NTB90N02T4G
- NTB90N02T4
- NTB90N02G
- NTB90N02_05
- NTB90N02
- NTB8N50
- NTB85N03T4G
- NTB85N03T4
- NTB85N03G
- NTB85N03
- NTB7A16
- NTB75N06T4G
- NTB75N06T4
- NTB75N06LT4G
- NTB75N06LT4
- NTB75N06L
- NTB75N06G
- NTB75N06
- NTB75N03RT4G
- NTB75N03RT4
- NTB75N03R
- NTB75N03L09T4G
- NTB75N03L09T4
- NTB75N03L09G
- NTB75N03L09
- NTB75N03-6T4G
- NTB75N03-6G
- NTB75N03-06T4
- NTB75N03-06
- NTB75N03-006
- NTB70N08L
- NTB70N08
- NTB708
- NTB707
- NTB6N60T4
- NTB5605
- NTB4302
- NTB0104
- NTB0102
- NTA-X
- NTAG213
- NTAG210
- NTA2425
- NTA2410
- NT95089
- NT91215
- NT91214
- NT90TP
- NT90T-C
- NT90T-B
- NT90T
- NT90-B
- NT90-A
- NT90_07
- NT872R
NTB75N06LG数据表相关新闻
NTB35N15T4G MOSFET
NTB35N15T4G
2024-11-26NTBG070N120M3S MOSFET
onsemi 的 NTBG070N120M3S 是应用了 M3S 技术的 EliteSiC、65 mΩ、1200 V SiC MOSFET，采用 D2PAK-7L 封装
2024-4-17NTCC201E4103FT-C
NTC熱敏電阻器 NTC BARE DIE AG2 10K 1% TAPE E4
2023-12-28NTBG014N120M3P
NTBG014N120M3P
2023-7-4NT-AL001
NT-AL001，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-3-7NTB5411NT4G，兴中扬只售原装
NTB5411NT4G，兴中扬只售原装
2019-11-30
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
- P104
- P105
- P106
- P107
