位置：首页 > IC中文资料第6551页 > NTB30N06G
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTB30N06G | Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts 文件：72.83 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTB30N06G | N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：1.32122 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
30 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 30N06 is a low voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and excellent avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at automotive applications in power supplies, high e | UTC 友顺 | | ||
30 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：223.41 Kbytes Page：8 Pages | UTC 友顺 | | ||
Fast Switching 文件：64.91 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：269.69 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
60V, 30A N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：309.86 Kbytes Page：8 Pages | UTC 友顺 | |
NTB30N06G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTB30N06G
- 功能描述
MOSFET NFET 60V 30A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
D2PAK3LEAD |
8866 |
||||
ON |
22+ |
TO-263 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
ON |
2023+ |
D2PAK |
50000 |
原装现货 |
|||
ON Semiconductor |
23+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
8000 |
只做原装现货 |
|||
ON Semiconductor |
23+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
7000 |
||||
SR |
24+ |
TO263 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
SR |
21+ |
TO263 |
10026 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263-2 |
986966 |
国产 |
|||
VBSEMI/台湾微碧 |
24+ |
D2PAK |
60000 |
||||
VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
D2PAK |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
NTB30N06G规格书下载地址
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2024-11-26NT96663BG 主控芯片，一级代理，应用手册， 批发价格，中文资料，价格咨询
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2024-5-20NTBG014N120M3P
NTBG014N120M3P
2023-7-4NT7532
NT7532,全新.当天发货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-4-19NT-AL001
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2019-11-30
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