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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NP82N055ELE

MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=8.4mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=11mΩMAX.(VGS=5.0V,ID

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
NP82N055ELE

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=8.4mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=11mΩMAX.(VGS=5.0V,ID=41A) RDS(on)3=12mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=41A) •Lowinputcapacitance Ciss=4

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NP82N055ELE-E1-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=8.4mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=11mΩMAX.(VGS=5.0V,ID

NECRenesas Electronics America

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=8.4mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=11mΩMAX.(VGS=5.0V,ID=41A) RDS(on)3=12mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=41A) •Lowinputcapacitance Ciss=4

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=8.4mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=11mΩMAX.(VGS=5.0V,ID=41A) RDS(on)3=12mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=41A) •Lowinputcapacitance Ciss=4

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NP82N055ELE-E2-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=8.4mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=11mΩMAX.(VGS=5.0V,ID

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGSWITCHING

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) •Lowinputcapacitance Ciss=3500pF

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) •Lowinputcapacitance Ciss=3500pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=8.4mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) RDS(on)2=11mΩMAX.(VGS=5.0V,ID

NECRenesas Electronics America

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

文件：214 Kbytes Page：10 Pages

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82N055

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP82N055MUGandNP82N055NUGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Nonlogiclevel •Superlowon-stateresistance RDS(on)=6.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) •Highcurrentrating ID(DC)=±82A •Low

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NP82N055ELE产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP82N055ELE

  • 功能描述

    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 82A I(D) | TO-263AB

NP82N055ELE供应商更多...

更新时间：2024-5-13 19:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市弘扬芯城科技有限公司
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RENESAS(瑞萨)/IDT
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