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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NP80N055MLE | MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=13mΩMAX.(VGS=5V,ID=4 | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   |
NP80N055MLE | MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=13mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=15mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2900 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | |
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MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=13mΩMAX.(VGS=5V,ID=4 | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=13mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=15mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2900 | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
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MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2400pFT | NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2400pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
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NP80N055MLE产品属性
- 类型
描述
- 型号
NP80N055MLE
- 制造商
NEC
- 制造商全称
NEC
- 功能描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-220 |
12500 |
瑞萨全系列在售,终端可出样品 |
|||
NEC |
2022 |
TO-262 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
|||
NEC |
23+ |
TO-262 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-220 |
10000 |
公司只做原装正品 |
|||
NEC-日本电气 |
24+25+/26+27+ |
TO-220-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
R |
2020+ |
T0-220 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
VBsemi/台湾微碧 |
22+ |
T0-220 |
28600 |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
|||
NEC |
23+ |
TO-262 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
NEC |
22+ |
TO-220 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
VBsemi/台湾微碧 |
T0-220 |
893993 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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