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NP55N04SLG-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The NP55N04SLG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Channel temperature 175 degree rating • Super low on-state resistance ⎯ RDS(on)1 = 6.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 28 A) ⎯ RDS(on)2 = 8.5 mΩ MAX. (VGS = 5 V, I

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-10-17 9:48:00
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