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NP55N04SLG-E2-AY中文资料

厂家型号

NP55N04SLG-E2-AY

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8

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

RENESAS

NP55N04SLG-E2-AY数据手册规格书PDF详情

Description

The NP55N04SLG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

Features

• Channel temperature 175 degree rating

• Super low on-state resistance

⎯ RDS(on)1 = 6.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 28 A)

⎯ RDS(on)2 = 8.5 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 28 A)

⎯ RDS(on)3 = 15 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 11 A)

• Low input capacitance

• Gate to Source ESD protection diode built-in

更新时间:2022-6-12 10:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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