型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 55A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5.0mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

MOSFET

natlinear

南麟

Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive

RENESAS

瑞萨

Product Scout Automotive

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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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RENESAS

瑞萨

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Green Device Available Description: The ADM55N03Z uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with l

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爱德微

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 55mΩ ID 3.5A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

EXCELLIANCE

杰力科技

N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field E ffect Transistor

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field E ffect Transistor

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

25V N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET

文件:256.92 Kbytes Page:6 Pages

CHAMP

虹冠电子

NP55N03产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP55N03

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 30V 55A TO-252

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-12-26 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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原厂渠道,现货配单

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