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NP50P03YDG-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The NP50P03YDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 8.4 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −25 A) • Low Ciss: Ciss = 2300 pF TYP. (VDS = −25 V, VGS = 0 V) • Designed for automotive app

RENESAS

瑞萨

NP50P03YDG-E2-AY产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NP50P03YDG-E2-AY

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

更新时间:2025-11-25 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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