位置:首页 > IC中文资料第5645页 > NP50P03YDG-E1-AY
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NP50P03YDG-E1-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP50P03YDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 8.4 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −25 A) • Low Ciss: Ciss = 2300 pF TYP. (VDS = −25 V, VGS = 0 V) • Designed for automotive app | RENESAS 瑞萨 |
NP50P03YDG-E1-AY产品属性
- 类型
描述
- 型号
NP50P03YDG-E1-AY
- 功能描述
MOSFET P-CH -30V 50A 8HSON
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
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2022-4-14NP16N06QLK-E1-AY 瑞智芯 只有原装
深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人:彭先生 QQ:2851196982 直线:0755-82991809 手机:13787628849 邮箱:pc@szruizhixin.com 地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号: NP16N06QLK-E1-AY 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Renesas Electronics America Inc 封装:8-PowerL
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2020-8-24NPA1006假一罚十
只做原装正品,欢迎咨询。
2020-7-16NPA-730B-005D
板机接口压力传感器
2019-9-10
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