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NP50P03YDG-E1-AY中文资料
NP50P03YDG-E1-AY数据手册规格书PDF详情
Description
The NP50P03YDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
Features
• Low on-state resistance
⎯ RDS(on) = 8.4 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −25 A)
• Low Ciss: Ciss = 2300 pF TYP. (VDS = −25 V, VGS = 0 V)
• Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
• Small size package 8-pin HSON
NP50P03YDG-E1-AY产品属性
- 类型
描述
- 型号
NP50P03YDG-E1-AY
- 功能描述
MOSFET P-CH -30V 50A 8HSON
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Renesas |
1822+ |
QFN |
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QFN |
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Renesas |
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进口原装 |
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Renesas |
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QFN |
21 |
进口原装现货,假一赔十 |
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Renesas |
25+ |
QFN |
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RENESAS/瑞萨 |
23+ |
QFN |
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当天发货全新原装现货 |
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RENESAS/瑞萨 |
24+ |
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- RJH60M1DPP-M0
- RJK4002DPP-M0
- WTPB8A60CW
Datasheet数据表PDF页码索引
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Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司
瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司成立于2002年,由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成,专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案,广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器(MCUs)、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力,提供车载MCU、传感器和网络解决方案,支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构,产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区,致力于为