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NP36N10SDE-E1-AY

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP36N10SDEisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance RDS(on)1=33mΩMAX.(VGS=10V,ID=18A) RDS(on)2=39mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=18A) •LowCiss:Ciss=3500pFTYP.(VDS=2

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
更新时间:2025-7-22 20:00:00
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