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NP36N10SDE-E1-AY中文资料

厂家型号

NP36N10SDE-E1-AY

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8

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

RENESAS

NP36N10SDE-E1-AY数据手册规格书PDF详情

Description

The NP36N10SDE is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

Features

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 33 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 18 A)

RDS(on)2 = 39 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 18 A)

• Low Ciss: Ciss = 3500 pF TYP. (VDS = 25 V)

• Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

更新时间:2022-6-12 10:12:00
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