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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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NP32N055SHE | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION These products are N-Channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 25 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 16 A) • Low Cis | RENESAS 瑞萨 |   | |
NP32N055SHE | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 32A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 25mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | |
NP32N055SHE | Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive | RENESAS 瑞萨 | | |
NP32N055SHE | Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages | RENESAS 瑞萨 | | |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 24 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 16 A) RDS(on)2 | RENESAS 瑞萨 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 32A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 24mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 32A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 25mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION These products are N-Channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 25 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 16 A) • Low Cis | RENESAS 瑞萨 | | ||
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：960.08 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
NP32N055SHE产品属性
- 类型
描述
- 型号
NP32N055SHE
- 功能描述
MOSFET N-CH 55V 32A TO-252
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENE |
24+ |
NA/ |
14125 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
TO252 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
NEC |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
NEC |
2450+ |
SOT-252 |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
NEC |
25+ |
原厂原封装 |
86720 |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-252 |
12500 |
瑞萨全系列在售,终端可出样品 |
|||
VB |
21+ |
TO252 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-252 |
9000 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
|||
NEC |
24+ |
TO-252 |
8866 |
||||
N |
25+ |
TO252 |
37650 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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2022-4-14NP16N06QLK-E1-AY 瑞智芯 只有原装
深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人：彭先生 QQ：2851196982 直线：0755-82991809 手机：13787628849 邮箱：pc@szruizhixin.com 地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号： NP16N06QLK-E1-AY 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Renesas Electronics America Inc 封装：8-PowerL
2021-9-4NP90N04NUK-S18-AY 瑞智芯 只有原装
深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人：彭先生 QQ：2851196982 直线：0755-82991809 手机：13787628849 邮箱：pc@szruizhixin.com 地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号：NP90N04NUK-S18-AY 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 制造商 Renesas Electronics America Inc 包装：50 封装
2021-9-3NOSE687M002R0060 深圳市得捷芯城电子科技 AVX KEMET 尼康 三洋 钽电容代理商
NOSE687M002R0060 深圳市得捷芯城电子科技 AVX KEMET 尼康 三洋 钽电容代理商
2020-8-24NPA1006假一罚十
只做原装正品，欢迎咨询。
2020-7-16NPA-730B-005D
板机接口压力传感器
2019-9-10
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