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NP32N055HHE

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION These products are N-Channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 25 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 16 A) • Low Cis

RENESAS

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NP32N055HHE

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 32A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 25mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

NP32N055HHE

Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive

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NP32N055HHE

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:960.08 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 24 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 16 A) RDS(on)2

RENESAS

瑞萨

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 32A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 24mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

更新时间:2025-11-24 20:00:00
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