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Low voltage PNP power transistor

DESCRIPTION The MJD31B and MJD31C and the MJD32B and MJD32C form complementary NPN-PNP pairs. They are manufactured using Epitaxial Base technology for cost-effective performance. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES ■ SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX

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意法半导体

Low voltage PNP power transistor

Description The device is manufactured in planar technology with “base island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Features ■ This device is qualified for automotive application ■ Surface-mounting TO-252 power packa

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意法半导体

Complementary Power Transistors

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安森美半导体

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安森美半导体

更新时间:2025-12-31 18:17:01
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