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MJD32CT4价格

参考价格：￥0.8241

型号：MJD32CT4 品牌：STMICROELECTRONICS 备注：这里有MJD32CT4多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MJD32CT4批发/采购报价，MJD32CT4行情走势销售排行榜，MJD32CT4报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MJD32CT4

Low voltage PNP power transistor

DESCRIPTION The MJD31B and MJD31C and the MJD32B and MJD32C form complementary NPN-PNP pairs. They are manufactured using Epitaxial Base technology for cost-effective performance. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES ■ SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX

STMICROELECTRONICS

意法半导体

MJD32CT4

Complementary Power Transistors

文件：81.61 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD32CT4

Complementary Power Transistors

文件：135.34 Kbytes Page：10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD32CT4

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP 100V 3A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

STMICROELECTRONICS

意法半导体

MJD32CT4

Low voltage PNP power transistor

STMICROELECTRONICS

意法半导体

MJD32CT4-A

Low voltage PNP power transistor

Description The device is manufactured in planar technology with “base island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Features ■ This device is qualified for automotive application ■ Surface-mounting TO-252 power packa

STMICROELECTRONICS

意法半导体

MJD32CT4G

Complementary Power Transistors

Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Features • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves • Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“1” Suffix) • Lead Formed Versi

ONSEMI

安森美半导体

MJD32CT4-A

低压PNP功率晶体管

STMICROELECTRONICS

意法半导体

MJD32CT4G

Complementary Power Transistors

文件：100.84 Kbytes Page：10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD32CT4G

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：剪切带（CT）带盒（TB） 描述：TRANS PNP 100V 3A DPAK 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MJD32CT4G

Complementary Power Transistors

文件：135.34 Kbytes Page：10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD32CT4G

Complementary Power Transistors

文件：81.61 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD32CT4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MJD32CT4

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur Switch

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

MJD32CT4供应商更多...

更新时间：2025-9-27 23:54:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳诚思涵科技有限公司
MJD32CT4G
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MJD32CT4G
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