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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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NIF62514T1G | Self-protected FET, Temp and Current Limit, Voltage Clamp, ESD, SOT-223 HDPlus devices are an advanced series of power MOSFETs which utilize ON Semiconductor’s latest MOSFET technology process to achieve the lowest possible on−resistance per silicon area while incorporating smart features. Integrated thermal and current limits work together to provide short circui | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NIF62514T1G | 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 包装：管件 描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223 集成电路（IC） 配电开关，负载驱动器 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NIF62514T1G | Self?뭦rotected FET with Temperature and Current Limit 文件：75.71 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NIF62514T1G | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.0879 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
Self-protected FET with Temperature and Current Limit HDPlus devices are an advanced series of power MOSFETs which utilize ON Semiconductor’s latest MOSFET technology process to achieve the lowest possible on−resistance per silicon area while incorporating smart features. Integrated thermal and current limits work together to provide short circuit pr | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Self?뭦rotected FET with Temperature and Current Limit 文件：75.71 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NIF62514T1G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NIF62514T1G
- 功能描述
MOSFET 42V 6A N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
1063 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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ON |
18+ |
SOT223 |
1063 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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ON |
2025+ |
SOT-223 |
3577 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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VBSEMI |
19+ |
SOT-223 |
30000 |
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ON/安森美 |
2023+ |
SOT223 |
6853 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
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