型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NGD18N40CLB

Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts

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ONSEMI

安森美半导体

NGD18N40CLB

Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts

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ONSEMI

安森美半导体

Ignition IGBT, 18 A, 400 V N.Channel DPAK

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ONSEMI

安森美半导体

Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts

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ONSEMI

安森美半导体

Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts

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ONSEMI

安森美半导体

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 430V 15A 115W DPAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

IGBT 430V 15A 115W DPAK

ONSEMI

安森美半导体

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:管件 描述:IGBT 430V 15A 115W DPAK 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Littelfuse

力特

IGBT 430V 15A 115W DPAK

Littelfuse

力特

Ignition IGBT, 18 A, 400 V N.Channel DPAK

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ONSEMI

安森美半导体

Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts

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ONSEMI

安森美半导体

Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ

Description This application-specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH technology optimized for coil driving in the harsh environment of automotive ignition systems. The device show very low on-state voltage and very high SCIS energy capability over a wide operating temperature range.

STMICROELECTRONICS

意法半导体

400V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

18A, 400V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

NGD18N40CLB产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NGD18N40CLB

  • 制造商

    ONSEMI

  • 制造商全称

    ON Semiconductor

  • 功能描述

    Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts

更新时间:2025-10-12 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
NA/
9175
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ON
24+
TO-252
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
ON/安森美
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
ON/安森美
25+
SOT-252
54558
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
ON/安森美
24+
TO-252
505348
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ON/安森美
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绝对原装正品全新进口深圳现货
ON/安森美
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TO-252
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ON/安森美
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SOT-252
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原装正品代理渠道价格优势
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DPAK4LEADSingleG
8866

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