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NGD18N40CLBT4G中文资料

NGD18N40CLBT4G
厂家型号

NGD18N40CLBT4G
文件大小

128.19Kbytes
页面数量

8页
功能描述

Ignition IGBT, 18 A, 400 V N.Channel DPAK

IGBT 晶体管 18A 400V Ignition N-Channel
数据手册

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生产厂商

ONSEMI

相近规格书

NGD18N40CLBT4G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NGD18N40CLBT4G

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 18A 400V Ignition N-Channel

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

NGD18N40CLBT4G供应商...

更新时间：2025-10-4 13:40:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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